FDA70N20 価格設定（USD） [21399個在庫]
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- 450 pcs$1.27179
- 品番:
- FDA70N20
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDA70N20 electronic components. FDA70N20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDA70N20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDA70N20 製品の属性
品番 :
FDA70N20
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P
シリーズ :
UniFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
70A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
35 mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3970pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
417W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3PN
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
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