IRFR120ZPBF 価格設定（USD） [13613個在庫]
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- 品番:
- IRFR120ZPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-トライアック and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFR120ZPBF electronic components. IRFR120ZPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR120ZPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFR120ZPBF 製品の属性
品番 :
IRFR120ZPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8.7A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
190 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
310pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
35W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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