SIB456DK-T1-GE3 価格設定（USD） [471021個在庫]
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- 品番:
- SIB456DK-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIB456DK-T1-GE3 electronic components. SIB456DK-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIB456DK-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIB456DK-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIB456DK-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.3A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
185 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
130pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.4W (Ta), 13W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SC-75-6L Single
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SC-75-6L
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