ON Semiconductor - FQD13N10LTM

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FQD13N10LTM 価格設定(USD) [321334個在庫]

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品番:
FQD13N10LTM
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD13N10LTM 製品の属性

品番 : FQD13N10LTM
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 180 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 12nC @ 5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 520pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 40W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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