Infineon Technologies - IRF6785MTRPBF

KEY Part #: K6418729

IRF6785MTRPBF 価格設定(USD) [74317個在庫]

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品番:
IRF6785MTRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6785MTRPBF 製品の属性

品番 : IRF6785MTRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.4A (Ta), 19A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1500pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.8W (Ta), 57W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : DIRECTFET™ MZ
パッケージ/ケース : DirectFET™ Isometric MZ

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