Vishay Siliconix - SI2318CDS-T1-GE3

KEY Part #: K6397875

SI2318CDS-T1-GE3 価格設定(USD) [651126個在庫]

  • 1 pcs$0.05681
  • 3,000 pcs$0.05384

品番:
SI2318CDS-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI2318CDS-T1-GE3 electronic components. SI2318CDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2318CDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2318CDS-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI2318CDS-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 42 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 9nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 340pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

あなたも興味があるかもしれません
  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK380A60Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS.

  • TK72A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 72A TO-220.

  • TK14A65W5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220.