ON Semiconductor - NTLJD3115PT1G

KEY Part #: K6521883

NTLJD3115PT1G 価格設定(USD) [432588個在庫]

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品番:
NTLJD3115PT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTLJD3115PT1G 製品の属性

品番 : NTLJD3115PT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 P-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.3A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6.2nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 531pF @ 10V
パワー-最大 : 710mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ : 6-WDFN (2x2)

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