Vishay Siliconix - IRFIBE20GPBF

KEY Part #: K6398927

IRFIBE20GPBF 価格設定(USD) [28864個在庫]

  • 1 pcs$1.42787
  • 10 pcs$1.29081
  • 100 pcs$0.98408
  • 500 pcs$0.76541
  • 1,000 pcs$0.63419

品番:
IRFIBE20GPBF
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix IRFIBE20GPBF electronic components. IRFIBE20GPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFIBE20GPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFIBE20GPBF 製品の属性

品番 : IRFIBE20GPBF
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.4A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 6.5 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 530pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 30W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

あなたも興味があるかもしれません
  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • SPA15N60C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 15A TO-220.