Diodes Incorporated - DMN1019UFDE-7

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DMN1019UFDE-7 価格設定(USD) [500944個在庫]

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品番:
DMN1019UFDE-7
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN1019UFDE-7 製品の属性

品番 : DMN1019UFDE-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.2V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 800mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 50.6nC @ 8V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2425pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 690mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : U-DFN2020-6 (Type E)
パッケージ/ケース : 6-UDFN Exposed Pad

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