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- 品番:
- PHD78NQ03LT,118
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 25V 75A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in NXP USA Inc. PHD78NQ03LT,118 electronic components. PHD78NQ03LT,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHD78NQ03LT,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PHD78NQ03LT,118 製品の属性
品番 :
PHD78NQ03LT,118
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
75A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
11nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
970pF @ 12V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
107W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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