ON Semiconductor - FDMS8020

KEY Part #: K6396507

FDMS8020 価格設定(USD) [176328個在庫]

  • 1 pcs$0.20977
  • 3,000 pcs$0.12616

品番:
FDMS8020
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 26A 8-PQFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDMS8020 electronic components. FDMS8020 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS8020, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS8020 製品の属性

品番 : FDMS8020
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 30V 26A 8-PQFN
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 26A (Ta), 42A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.5 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 61nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3800pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 65W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • SI2316DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.