SIHF6N40D-E3 価格設定（USD） [59189個在庫]
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- 品番:
- SIHF6N40D-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHF6N40D-E3 electronic components. SIHF6N40D-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHF6N40D-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHF6N40D-E3 製品の属性
品番 :
SIHF6N40D-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
400V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1 Ohm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
18nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
311pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
30W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220 Full Pack
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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