IXYS - IXTA110N12T2

KEY Part #: K6394641

IXTA110N12T2 価格設定(USD) [20874個在庫]

  • 1 pcs$2.17265
  • 10 pcs$1.93908
  • 100 pcs$1.59005
  • 500 pcs$1.28755
  • 1,000 pcs$1.03020

品番:
IXTA110N12T2
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXTA110N12T2 electronic components. IXTA110N12T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA110N12T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA110N12T2 製品の属性

品番 : IXTA110N12T2
メーカー : IXYS
説明 : 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
シリーズ : TrenchT2™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 120V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 110A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 14 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6570pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 517W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263 (IXTA)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB