SIHD14N60E-GE3 価格設定（USD） [35968個在庫]
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- 品番:
- SIHD14N60E-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHD14N60E-GE3 electronic components. SIHD14N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHD14N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHD14N60E-GE3 製品の属性
品番 :
SIHD14N60E-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK
シリーズ :
E
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
13A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
309 mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
64nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1205pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
147W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-PAK (TO-252AA)
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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