Infineon Technologies - IRFR3411TRPBF

KEY Part #: K6407495

IRFR3411TRPBF 価格設定(USD) [121809個在庫]

  • 1 pcs$0.30365
  • 2,000 pcs$0.25946

品番:
IRFR3411TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRFR3411TRPBF electronic components. IRFR3411TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR3411TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR3411TRPBF 製品の属性

品番 : IRFR3411TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 32A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 44 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 71nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1960pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 130W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません
  • PN3685

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH TO-92.

  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVN4206AVSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • IRFN214BTA_FP001

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92.

  • IRLR130ATM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 13A DPAK.