説明 :
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1000V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
1.4A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
11 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
38nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
500pF @ 25V
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA