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- 品番:
- IXFH67N10
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFH67N10 electronic components. IXFH67N10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH67N10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFH67N10 製品の属性
品番 :
IXFH67N10
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
67A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
260nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4500pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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