IXYS - IXFH67N10

KEY Part #: K6415085

[12531個在庫]


    品番:
    IXFH67N10
    メーカー:
    IXYS
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in IXYS IXFH67N10 electronic components. IXFH67N10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH67N10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFH67N10 製品の属性

    品番 : IXFH67N10
    メーカー : IXYS
    説明 : MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
    シリーズ : HiPerFET™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 67A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 25 mOhm @ 33.5A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 4mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 260nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4500pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 300W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AD (IXFH)
    パッケージ/ケース : TO-247-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • NDF0610

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 60V 180MA TO92.

    • ZVP4105A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3.

    • ZVP2120A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3.

    • BSS100

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 220MA TO92.

    • BSS110

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 50V 170MA TO92.

    • 94-4007

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 35A DPAK.