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- 品番:
- STD1HNC60T4
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, パワードライバーモジュール and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STD1HNC60T4 electronic components. STD1HNC60T4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD1HNC60T4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STD1HNC60T4 製品の属性
品番 :
STD1HNC60T4
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
シリーズ :
PowerMESH™ II
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
228pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
50W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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