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ON Semiconductor - NVMFS6H818NWFT1G

KEY Part #: K6400637

NVMFS6H818NWFT1G 価格設定（USD） [64094個在庫]

  • 1 pcs$0.61005
品番:
NVMFS6H818NWFT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
TRENCH 8 80V NFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NVMFS6H818NWFT1G electronic components. NVMFS6H818NWFT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS6H818NWFT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS6H818NWFT1G 製品の属性

品番 : NVMFS6H818NWFT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : TRENCH 8 80V NFET
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 20A (Ta), 123A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 3.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 190µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 46nC @ 10V
Vgs（最大） : ±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 3100pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 3.8W (Ta), 136W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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