Infineon Technologies - IPD60R380E6BTMA1

KEY Part #: K6401718

[2953個在庫]


    品番:
    IPD60R380E6BTMA1
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET NCH 600V 10.6A TO252.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IPD60R380E6BTMA1 electronic components. IPD60R380E6BTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R380E6BTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD60R380E6BTMA1 製品の属性

    品番 : IPD60R380E6BTMA1
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
    シリーズ : CoolMOS™
    部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10.6A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 380 mOhm @ 3.8A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 3.5V @ 300µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 32nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 700pF @ 100V
    FET機能 : Super Junction
    消費電力(最大) : 83W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 155°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO252-3
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    あなたも興味があるかもしれません
    • ZVN4310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3.

    • VN0104N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3.

    • TN5325N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

    • IRFI4228PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

    • SI1471DH-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6.

    • PMN70XPEAX

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP.