説明 :
MOSFET N-CH 1200V 24A TO247
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
24A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
20V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
220 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 500µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
47.1nC @ 20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
928pF @ 800V
動作温度 :
-55°C ~ 135°C (TJ)