DMNH4011SPSQ-13 価格設定（USD） [191955個在庫]
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- 2,500 pcs$0.17054
- 品番:
- DMNH4011SPSQ-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMNH4011SPSQ-13 electronic components. DMNH4011SPSQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMNH4011SPSQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMNH4011SPSQ-13 製品の属性
品番 :
DMNH4011SPSQ-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12.9A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
10 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
25.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1405pF @ 20V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta), 150W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI5060-8
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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