IPB120N04S4L02ATMA1 価格設定（USD） [79838個在庫]
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- 1,000 pcs$0.44934
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH TO263-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPB120N04S4L02ATMA1 electronic components. IPB120N04S4L02ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB120N04S4L02ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB120N04S4L02ATMA1 製品の属性
品番 :
IPB120N04S4L02ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH TO263-3
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
120A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 110µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
190nC @ 10V
Vgs（最大） :
+20V, -16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
14560pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
158W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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