DMN6040SFDE-7 価格設定（USD） [377634個在庫]
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- 品番:
- DMN6040SFDE-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 5.3A U-DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN6040SFDE-7 electronic components. DMN6040SFDE-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN6040SFDE-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN6040SFDE-7 製品の属性
品番 :
DMN6040SFDE-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 60V 5.3A U-DFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
38 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
22.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1287pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
660mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
U-DFN2020-6 (Type E)
パッケージ/ケース :
6-UDFN Exposed Pad
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