[2087個在庫]
- 品番:
- AUIRF7805Q
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 30V 13A 8-SO.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies AUIRF7805Q electronic components. AUIRF7805Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF7805Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AUIRF7805Q 製品の属性
品番 :
AUIRF7805Q
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N CH 30V 13A 8-SO
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
13A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
11 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
31nC @ 5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.5W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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