NTR1P02LT1G 価格設定（USD） [927975個在庫]
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- 品番:
- NTR1P02LT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTR1P02LT1G electronic components. NTR1P02LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTR1P02LT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTR1P02LT1G 製品の属性
品番 :
NTR1P02LT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
220 mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.25V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5.5nC @ 4V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
225pF @ 5V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
400mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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