TK8Q65W,S1Q 価格設定（USD） [59949個在庫]
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- 品番:
- TK8Q65W,S1Q
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q65W,S1Q electronic components. TK8Q65W,S1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK8Q65W,S1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK8Q65W,S1Q 製品の属性
品番 :
TK8Q65W,S1Q
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
シリーズ :
DTMOSIV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
670 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.5V @ 300µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
16nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
570pF @ 300V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
80W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I-PAK
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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