[14090個在庫]
- 品番:
- NDH832P
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NDH832P electronic components. NDH832P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDH832P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NDH832P 製品の属性
品番 :
NDH832P
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.7V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
60 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
30nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
-8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1000pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.8W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SuperSOT™-8
パッケージ/ケース :
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- DMP2036UVT-13
- JANSR2N7381
- SSM3K01T(TE85L,F)
- IRFH5220TRPBF
- AOL1428A
- NP80N04KHE-E1-AY
- 2SK4087LS
- NDF11N50ZG
- BSF053N03LT G
- NILMS4501NR2G
- IRF1503STRRPBF
- SI5480DU-T1-E3
- FDM100-0045SP
- HAT2175H-EL-E
- ZVN4310ASTZ
- ZVN2106ASTOB
- FDS7060N7
- NTHS5402T1
- STD5407NT4G
- SI4438DY-T1-GE3
- IRF7425PBF
- IRL3714STRL
- IRF7426TR
- NTP30N06LG
- IXFR12N100
- IRFZ14STRR
- SI4410DY,518
- BUK953R2-40B,127
- STW36NM60N
- AUIRFSA8409-7TRL
- IXTA110N055P
- HAT2279H-EL-E
- IRFR1205TRPBF
- SIPC07N50C3X1SA1
- RCD100N19TL
- RSH070N05GZETB
- XP161A1265PR
- SI1469DH-T1-GE3
- RTL020P02TR
- PMV280ENEAR