Vishay Siliconix - IRFD110PBF

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品番:
IRFD110PBF
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
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競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFD110PBF 製品の属性

品番 : IRFD110PBF
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 540 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 180pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.3W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
パッケージ/ケース : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

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