IXKR25N80C 価格設定（USD） [6784個在庫]
- 1 pcs$8.35330
- 10 pcs$7.22307
- 100 pcs$6.13961
- 品番:
- IXKR25N80C
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXKR25N80C electronic components. IXKR25N80C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXKR25N80C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXKR25N80C 製品の属性
品番 :
IXKR25N80C
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
25A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
150 mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 2mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
355nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
Super Junction
消費電力（最大） :
-
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOPLUS247™
パッケージ/ケース :
ISOPLUS247™
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