[8449個在庫]
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ668(TE16L1,NQ) electronic components. 2SJ668(TE16L1,NQ) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SJ668(TE16L1,NQ), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SJ668(TE16L1,NQ) 製品の属性
品番 :
2SJ668(TE16L1,NQ)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
シリーズ :
U-MOSIII
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
170 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
700pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
20W (Tc)
動作温度 :
150°C
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PW-MOLD
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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