TSM10N80CI C0G 価格設定（USD） [27833個在庫]
- 1 pcs$1.48075
- 品番:
- TSM10N80CI C0G
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 9.5A ITO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM10N80CI C0G electronic components. TSM10N80CI C0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM10N80CI C0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM10N80CI C0G 製品の属性
品番 :
TSM10N80CI C0G
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
MOSFET N-CH 800V 9.5A ITO220
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.05 Ohm @ 4.75A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
53nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2336pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
48W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ITO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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