IXFT52N50P2 価格設定（USD） [12532個在庫]
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- 10 pcs$3.97027
- 100 pcs$3.26444
- 500 pcs$2.73507
- 品番:
- IXFT52N50P2
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 500V 52A TO268.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的 and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFT52N50P2 electronic components. IXFT52N50P2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT52N50P2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFT52N50P2 製品の属性
品番 :
IXFT52N50P2
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 500V 52A TO268
シリーズ :
HiPerFET™, PolarHV™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
500V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
52A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
120 mOhm @ 26A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
113nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6800pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
960W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-268
パッケージ/ケース :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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