Nexperia USA Inc. - PSMN016-100PS,127

KEY Part #: K6402720

PSMN016-100PS,127 価格設定(USD) [70849個在庫]

  • 1 pcs$0.51426
  • 10 pcs$0.45615
  • 100 pcs$0.34108
  • 500 pcs$0.26451
  • 1,000 pcs$0.20882

品番:
PSMN016-100PS,127
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V TO220AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN016-100PS,127 electronic components. PSMN016-100PS,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN016-100PS,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN016-100PS,127 製品の属性

品番 : PSMN016-100PS,127
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 100V TO220AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 57A (Tj)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 16 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2404pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 148W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

あなたも興味があるかもしれません
  • BS170PSTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • DN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

  • GP1M008A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

  • GP1M007A065CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.

  • GP1M003A090C

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK.

  • GP1M003A080CH

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 800V 3A DPAK.