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ON Semiconductor - FDME820NZT

KEY Part #: K6409728

FDME820NZT 価格設定（USD） [292913個在庫]

  • 1 pcs$0.12691
  • 5,000 pcs$0.12628
品番:
FDME820NZT
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDME820NZT electronic components. FDME820NZT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDME820NZT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDME820NZT 製品の属性

品番 : FDME820NZT
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 9A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 18 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 8.5nC @ 4.5V
Vgs（最大） : ±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 865pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 2.1W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : MicroFet 1.6x1.6 Thin
パッケージ/ケース : 6-PowerUFDFN

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