TSM6502CR RLG 価格設定（USD） [348634個在庫]
- 1 pcs$0.10609
- 品番:
- TSM6502CR RLG
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM6502CR RLG electronic components. TSM6502CR RLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM6502CR RLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM6502CR RLG 製品の属性
品番 :
TSM6502CR RLG
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
24A (Tc), 18A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
パワー-最大 :
40W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PDFN (5x6)
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