Infineon Technologies - IRF7326D2TRPBF

KEY Part #: K6404132

[2117個在庫]


    品番:
    IRF7326D2TRPBF
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRF7326D2TRPBF electronic components. IRF7326D2TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7326D2TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7326D2TRPBF 製品の属性

    品番 : IRF7326D2TRPBF
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
    シリーズ : FETKY™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.6A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 1.8A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 25nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 440pF @ 25V
    FET機能 : Schottky Diode (Isolated)
    消費電力(最大) : 2W (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    あなたも興味があるかもしれません