TPN2010FNH,L1Q 価格設定（USD） [146815個在庫]
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- 品番:
- TPN2010FNH,L1Q
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPN2010FNH,L1Q electronic components. TPN2010FNH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN2010FNH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPN2010FNH,L1Q 製品の属性
品番 :
TPN2010FNH,L1Q
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
シリーズ :
U-MOSVIII-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
250V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.6A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 200µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
600pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
700mW (Ta), 39W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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