SSM3J120TU,LF 価格設定（USD） [666819個在庫]
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- 品番:
- SSM3J120TU,LF
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 4A UFM.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J120TU,LF electronic components. SSM3J120TU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J120TU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM3J120TU,LF 製品の属性
品番 :
SSM3J120TU,LF
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET P-CH 20V 4A UFM
シリーズ :
U-MOSIV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.5V, 4V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
38 mOhm @ 3A, 4V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
22.3nC @ 4V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1484pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
UFM
パッケージ/ケース :
3-SMD, Flat Leads
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