FETタイプ :
2 P-Channel (Dual) Common Drain
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
36 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
30nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
3030pF @ 10V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
6-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-MLP (2x3)