RQ3E070BNTB 価格設定（USD） [944660個在庫]
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- 品番:
- RQ3E070BNTB
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor RQ3E070BNTB electronic components. RQ3E070BNTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ3E070BNTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RQ3E070BNTB 製品の属性
品番 :
RQ3E070BNTB
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
27 mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.9nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
410pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-HSMT (3.2x3)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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