ON Semiconductor - NVTR01P02LT1G

KEY Part #: K6392793

NVTR01P02LT1G 価格設定(USD) [792956個在庫]

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品番:
NVTR01P02LT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVTR01P02LT1G 製品の属性

品番 : NVTR01P02LT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 220 mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.25V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 3.1nC @ 4V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 225pF @ 5V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 400mW (Ta)
動作温度 : -
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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