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- 品番:
- PHB112N06T,118
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. PHB112N06T,118 electronic components. PHB112N06T,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHB112N06T,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PHB112N06T,118 製品の属性
品番 :
PHB112N06T,118
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
シリーズ :
TrenchMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
75A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
87nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4352pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
200W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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