Vishay Siliconix - SQS482EN-T1_GE3

KEY Part #: K6405375

SQS482EN-T1_GE3 価格設定(USD) [213816個在庫]

  • 1 pcs$0.17299
  • 3,000 pcs$0.15140

品番:
SQS482EN-T1_GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SQS482EN-T1_GE3 electronic components. SQS482EN-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQS482EN-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQS482EN-T1_GE3 製品の属性

品番 : SQS482EN-T1_GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 16A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 8.5 mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1865pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 62W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® 1212-8

あなたも興味があるかもしれません