IXYS - IXFQ50N60X

KEY Part #: K6394874

IXFQ50N60X 価格設定(USD) [13497個在庫]

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品番:
IXFQ50N60X
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFQ50N60X 製品の属性

品番 : IXFQ50N60X
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 50A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 73 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 116nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4660pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 660W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3P
パッケージ/ケース : TO-3P-3, SC-65-3