Vishay Siliconix - IRFR020TRPBF

KEY Part #: K6392963

IRFR020TRPBF 価格設定(USD) [120763個在庫]

  • 1 pcs$0.30628
  • 2,000 pcs$0.25885

品番:
IRFR020TRPBF
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix IRFR020TRPBF electronic components. IRFR020TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR020TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR020TRPBF 製品の属性

品番 : IRFR020TRPBF
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 14A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 640pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 42W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

あなたも興味があるかもしれません