IRF6645TRPBF 価格設定（USD） [137353個在庫]
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- 品番:
- IRF6645TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF6645TRPBF electronic components. IRF6645TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6645TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF6645TRPBF 製品の属性
品番 :
IRF6645TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.7A (Ta), 25A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
35 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.9V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
890pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.2W (Ta), 42W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DIRECTFET™ SJ
パッケージ/ケース :
DirectFET™ Isometric SJ
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