説明 :
MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
19A (Ta), 132A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
58nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
4200pF @ 50V
消費電力(最大) :
3.4W (Ta), 165W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)