説明 :
MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
900mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
470 mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id :
950mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
1.3nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
41pF @ 15V
消費電力(最大) :
350mW (Ta), 5.43W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
DFN1006-3
パッケージ/ケース :
SC-101, SOT-883