IXXN110N65B4H1 価格設定（USD） [3912個在庫]
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- 品番:
- IXXN110N65B4H1
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- IGBT 650V 215A 750W SOT227B.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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IXXN110N65B4H1 製品の属性
品番 :
IXXN110N65B4H1
メーカー :
IXYS
説明 :
IGBT 650V 215A 750W SOT227B
シリーズ :
GenX4™, XPT™
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
PT
構成 :
Single
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
215A
パワー-最大 :
750W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.1V @ 15V, 110A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
50µA
入力容量（Cies）@ Vce :
3.65nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227B
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